詳細介紹
品牌 | CHOTEST/中圖儀器 |
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中圖儀器WD4000半導體晶圓量測設備通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷??蓪崿F砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質晶圓的量測。
WD4000半導體晶圓量測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數,同時生成Mapping圖;
2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數;
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現膜厚測量功能;
4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。
WD4000晶圓量測設備兼容不同材質不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確。
1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000晶圓量測設備可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業??蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等,提供依據SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內外標準共計300余種2D、3D參數作為評價標準。
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號 | WD4000系列 |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等 |
厚度和翹曲度測量系統 | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點 |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統 | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
測量參數 | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數 |
膜厚測量系統 | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統 | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。
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